SSD GOODRAM IRDM PRO NANO M.2. 2230 512GB 3D NAND odczyt do 5100MB/s, zapis do 4600MB/s

261,13 zł

Brutto

Opis
Szczegóły produktu

Przeznaczenie	Notebook/Game console
Prędkość zapisu nośnika	4600 MB/s
Interfejs	PCI Express 4.0
Współczynnik TBW	300
Rodzaj kontrolera	Phison E21T
Łącze PCI Express	x4
Pojemność pamięci SSD	512 GB
Typ pamięci	3D NAND
Korekcja ECC	Tak
Prędkość odczytu z nośnika	5100 MB/s
Losowy zapis (4KB)	920000 IOPS
MTBF (Średni okres międzyawaryjny)	1500000 h
Rozmiar dysku SSD M.2	2230 (22 x 30 mm)
NVMe	Tak
Losowy odczyt (4KB)	780000 IOPS
Typ dysku SSD	M.2
Głębokość produktu	30 mm
Wysokość produktu	2,2 mm
Szerokość produktu	22 mm
Zakres temperatur (przechowywanie)	-40 - 85 °C
Zakres temperatur (eksploatacja)	0 - 70 °C
Maksymalna temperatura eksploatacji	70 °C
Ostrzeżenia	Nie demontować urządzenia samodzielnie.; Nie wystawiaj na działanie wysokich temperatur.; Chronić przed wilgocią.
Gwarancja	Miesięcy: 24

Marka GoodRam

Indeks 5908267965917

W magazynie 9 Przedmioty

Gwarancja: Miesięcy: 24
Ostrzeżenia: Chronić przed wilgocią.; Nie wystawiaj na działanie wysokich temperatur.; Nie demontować urządzenia samodzielnie.
Głębokość produktu: 30 mm
Szerokość produktu: 22 mm
Wysokość produktu: 2,2 mm
Przeznaczenie: Notebook/Game console
Zakres temperatur (eksploatacja): 0 - 70 °C
Zakres temperatur (przechowywanie): -40 - 85 °C
Rodzaj kontrolera: Phison E21T
Maksymalna temperatura eksploatacji: 70 °C
Interfejs: PCI Express 4.0
MTBF (Średni okres międzyawaryjny): 1500000 h
Rozmiar dysku SSD M.2: 2230 (22 x 30 mm)
Prędkość odczytu z nośnika: 5100 MB/s
Losowy zapis (4KB): 920000 IOPS
Łącze PCI Express: x4
Typ dysku SSD: M.2
Pojemność pamięci SSD: 512 GB
Losowy odczyt (4KB): 780000 IOPS
Współczynnik TBW: 300
NVMe: Tak
Prędkość zapisu nośnika: 4600 MB/s
Typ pamięci: 3D NAND
Korekcja ECC: Tak