• Obecnie brak na stanie
AFOX DDR4 8G 2400MHZ MICRON CHIP RANK1 AFLD48EH1P
search
  • AFOX DDR4 8G 2400MHZ MICRON CHIP RANK1 AFLD48EH1P

AFOX DDR4 8G 2400MHZ MICRON CHIP RANK1 AFLD48EH1P

130,48 zł
Brutto
Ilość
Obecnie brak na stanie

Certyfikat środowiskowy (zrównoważonego rozwoju)RoHS
CertyfikatyCE
Programowalne napięcia zasilania (VPP)2,5 V
Kompatybilne chipsetyIntel® H110
Obsługa kanałów pamięciDwukanałowy
Typ pamięci RAMDDR4
Układ pamięci (moduły x rozmiar)1 x 8 GB
Prędkość zegara pamięci2400 MHz
Typ pamięci buforowejUnregistered (unbuffered)
Czas aktywności wiersza33 ns
Korekcja ECCNie
Napięcie pamięci1.2 V
Rodzaj pamięci288-pin DIMM
Przepustowość pamięci19,2 GB/s
Standard JEDECTak
Odświeżany czas cyklu wiersza260 ns
Czas cyklu wiersza46,5 ns
Opóźnienie CAS17
Kolor produktuCzarny
Pamięć RAM8 GB
PrzeznaczeniePC/serwer
Szerokość produktu133 mm
Wysokość produktu31 mm
Waga produktu18 g
Zakres temperatur (eksploatacja)0 - 85 °C
Zakres temperatur (przechowywanie)-55 - 100 °C
Szerokość opakowania168 mm
Wysokość opakowania88 mm
Waga wraz z opakowaniem36 g
Organizacja chipówx8 FBGA DRAM
OstrzeżeniaChronić przed skrajnymi temperaturami.; Utylizować zgodnie z lokalnymi przepisami dotyczącymi odpadów elektronicznych.; Nie otwieraj obudowy modułu pamięci.
GwarancjaMiesięcy: 60
AFOX
4897033785907

Opis

Kolor produktu
Czarny
Gwarancja
Miesięcy: 60
Waga wraz z opakowaniem
36 g
Szerokość opakowania
168 mm
Wysokość opakowania
88 mm
Ostrzeżenia
Chronić przed skrajnymi temperaturami.; Utylizować zgodnie z lokalnymi przepisami dotyczącymi odpadów elektronicznych.; Nie otwieraj obudowy modułu pamięci.
Szerokość produktu
133 mm
Wysokość produktu
31 mm
Waga produktu
18 g
Przeznaczenie
PC/serwer
Zakres temperatur (eksploatacja)
0 - 85 °C
Certyfikaty
CE
Zakres temperatur (przechowywanie)
-55 - 100 °C
Certyfikat środowiskowy (zrównoważonego rozwoju)
RoHS
Pamięć RAM
8 GB
Korekcja ECC
Nie
Typ pamięci RAM
DDR4
Rodzaj pamięci
288-pin DIMM
Prędkość zegara pamięci
2400 MHz
Obsługa kanałów pamięci
Dwukanałowy
Przepustowość pamięci
19,2 GB/s
Napięcie pamięci
1.2 V
Układ pamięci (moduły x rozmiar)
1 x 8 GB
Typ pamięci buforowej
Unregistered (unbuffered)
Organizacja chipów
x8 FBGA DRAM
Opóźnienie CAS
17
Standard JEDEC
Tak
Czas aktywności wiersza
33 ns
Czas cyklu wiersza
46,5 ns
Kompatybilne chipsety
Intel® H110
Odświeżany czas cyklu wiersza
260 ns
Programowalne napięcia zasilania (VPP)
2,5 V
Komentarze (0)
Na razie nie dodano żadnej recenzji.